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Affichage 21 articles: STTH12R06D à TS4148RYG (Page 25 sur 26)

Diode STTH12R06D
STTH12R06D
4.82€ TTC
61 En stock
61 En stock

Diode silicium 600V 12A. Trr: 25ns. Tension de seuil: 1.4V. Boîtier: TO-220AC.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH12R06DIRG
STTH12R06DIRG
7.22€ TTC
74 En stock
74 En stock

Diode silicium 600V 12A. Trr: 25ns. Tension de seuil: 1.4V. Boîtier: TO-220AC isolé.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH2003CFP
STTH2003CFP
9.18€ TTC
64 En stock
64 En stock

Double diode silicium 300V 2x10A. Trr: 35ns. Tension de seuil: 1V. Boîtier TO-220F Cathode commune. ULTRA FAST.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH2003CG
STTH2003CG
6.05€ TTC
47 En stock
47 En stock

Diode silicium double 300V 2x10A. Trr: 35ns. Tension de seuil(max): 1V. Boîtier: D2PAK/TO-263. Cathode commune.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH2003CT
STTH2003CT
10.14€ TTC
50 En stock
50 En stock

Diode silicium double 300V 2x10A. Trr: 35ns. Tension de seuil(max): 1V. Boîtier: TO-220. Cathode commune.

 
 
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Diode STTH2R06
STTH2R06
1.51€ TTC
1843 En stock
1843 En stock

Diode silicium 600V 2A/40Ap 35ns Vf:1.00V. Constructeur: ST Microelectronics. Code constructeur: STTH2R06. Montage traversant. Type de boîtier: DO-41. Boîtier: DO41 (5.2x2.7mm). Matériau: SI. Vrrm: 600V. Courant d'alimentation(AV): 2A. Trr(Min.): 35ns. Tension de seuil min: 1V. Tension de seuil maxi: 1.25V. IRM (min): 2uA. IRM (max): 12uA. Organ

 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH3010PI
STTH3010PI
16.41€ TTC
13 En stock
13 En stock

Diode silicium 1000V 30A. Trr: 53ns. Tension de seuil:1.3 - 1.4V. Boîtier DO-P3I isolé: 2500Vrsm. Ultrafast recovery. High voltage diode.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH3010W
STTH3010W
15.06€ TTC
6 En stock
6 En stock

Diode silicium 1000V 30A. Trr: 53ns. Tension de seuil: 1.3 - 1.4V. Boîtier DO-247 isolé: 2500Vrsm. Ultrafast recovery. High voltage diode.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH30R03CG
STTH30R03CG
13.10€ TTC
122 En stock
122 En stock

Double diode silicium 300V 2x15A. Trr: 20ns/35ns. Tension de seuil: 1.1V. Boîtier TO-263-3 (D2PAK). Diode ultra-rapide à haut rendement.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH30R06CW
STTH30R06CW
22.12€ TTC
12 En stock
12 En stock

Double diode silicium 600V 2x15A. Trr: 50ns. Tension de seuil: 1.8V. Boîtier TO-247. Diode de redressement ultra-rapide haute-tension.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH30R06W
STTH30R06W
10.14€ TTC
30 En stock
30 En stock

Diode silicium 600V 30A. Trr: 50ns. Tension de seuil: 1.1V. Boîtier TO-247. Diode de redressement ultra-rapide haute-tension.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH5L06FP
STTH5L06FP
16.24€ TTC
1 En stock
1 En stock

Diode silicium 600V 5A. Trr: 65ns. Tension de seuil: 1.05V. Boîtier ISOWATT TO-220AC. Diode de redressement ultra-rapide haute-tension.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH6002CW
STTH6002CW
16.52€ TTC
20 En stock
20 En stock

Diode silicium double 200V 2x30A. Trr<22ns. Tension de seuil: 0.74V. Boîtier: TO-247.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH6003CW
STTH6003CW
18.76€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Double diode silicium 300V 2x30A. Trr<55ns. Tension de seuil: 1V. Boîtier TO-247 isolé. High Frequency Secondary Rectifier.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH802FP
STTH802FP
3.98€ TTC
21 En stock
21 En stock

Diode silicium 200V 8A. Trr: 17ns. Tension de seuil: 0.8V. Boîtier: TO-220F (SOD100).

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode STTH806TTI
STTH806TTI
7.67€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Double diode silicium 600V 2x4A. Trr<13ns. Tension de seuil: 2.1V. Boîtier TO-220AB isolé. High Frequency Secondary Rectifier.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode SUF4003
SUF4003
0.39€ TTC
712 En stock
712 En stock

Diode silicium CMS 200V 1A/50Ap<50ns GL. Constructeur: SEMIKRON. Constructeur: Semikron. Matériau: SI. Vrrm: 200V. Courant d'alimentation(AV): 1A. Boîtier: DO-213AB.

Quantité minimum: 10
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Tarifs dégressifs

Diode SUF4004
SUF4004
0.67€ TTC
1012 En stock
1012 En stock

Diode CMS SUF4004 400V 1A/50Ap<50ns GL. Boîtier: DO-213AB. Constructeur: SEMIKRON. 2.5x5mm.

 
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Tarifs dégressifs

Diode SUF4007
SUF4007
0.50€ TTC
416 En stock
416 En stock

Diode silicium CMS 1000V 1A. Trr<50ns. Boîtier: DO-213AB.

 
Quantité minimum: 2
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Tarifs dégressifs

Diode TMMBAT46
TMMBAT46
0.39€ TTC
1631 En stock
1631 En stock

Diode CMS Schottky 100V. Courant maxi: 0.15A. Capacité: 6-10pF. Boîtier: SOD-80.

 
Quantité minimum: 10
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Tarifs dégressifs

Diode TS4148RYG
TS4148RYG
0.22€ TTC
1086 En stock
1086 En stock

Diode silicium CMS 100V 0.15A Ifsm 0.5A 4ns Cd:4pF. Constructeur: Taiwan Semiconductor. Code constructeur: TS4148RYG. Montage en surface (CMS). Boîtier: CMS 0805. Matériau: SI. Vrrm: 100V. Courant d'alimentation(AV): 150mA. Trr(Min.): 4ns. Tension de seuil min: 1V. Tension de seuil maxi: 1V. IRM (min): 25nA. IRM (max): 50uA. Cj: 4pF. Organisation

Quantité minimum: 10
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON